SiCツールの長所と3次元ＣＭＰ（化学機械研磨）
SiCツールの長所
- 超硬工具など従来の焼結工具と異なり、SiCツールの刃先は無粒界（注）であると同時に化学的に安定しているため刃先の動き通りに切削できる。
- SiCツールは刃先丸みが20nm以下と鋭利なため、原子レベルでの切削加工が可能で、加工歪みを極限まで抑えられる。
（注）：超硬工具やセラミック工具、cBN工具、PCD工具は、すべて材料の細かな粒子を焼き固めてつくる（焼結法）。そのため、刃先は粒子が不規則にならんだ状態（粒界）になる。
既存の切削工具の弱点
- サブミクロンレベルの粒界によるせん断破壊が被削材の内部に加工歪みなどの変質層をつくる
- 加工歪みが被削材の性能や特長を制限する
- 超微細加工では、負性電子親和力など化学的な安定度の低さが無視できない
3次元ＣＭＰ（化学機械研磨）とは
手についた汚れを洗い落とす場合、石けん液を手につけるだけでは、ほとんど汚れは落ちません。ところが、そこに水を加え手を動かして石けん液を汚れになじませると、石けんに含まれる化学成分（界面活性剤）の作用がより強く働いて汚れが落ちていきます。
この場合の石けん液がCMPの研磨材や研磨液(スラリー）に相当し、手を動かす動作が機械研磨に相当すると考えるとCMP（化学機械研磨）のイメージがつかみやすいかもしれません。
このCMP技術は、CPUなど大規模集積回路の母体となるケイ素（Si）や炭化ケイ素（SiC）ウエハーの表面を、極限まで平坦化するために用いられています。従来のCMP（化学機械研磨）は装置が高価で加工に長時間かかるため、もっぱら半導体製造で使われることが多く、平面に対してしか行なわれてきませんでした。
当社ではCMPに用いる研磨剤を固形化することに成功しました。その結果、切削工具の刃先のような３次元の構造をもつ物体にもCMPを施すことが可能になったのです。
この３次元CMP技術を確立することによって２０nm以下の刃先丸みをもつSiC単結晶工具(SiCツール）が実現したのです。
