炭化ケイ素（Silicon Carbide、化学式SiC）は、炭素（C）とケイ素（Si）の1:1 の共有結合による化合物です。
天然にはほとんど存在せず隕石中にわずかに確認されます。
その特長と強みをまとめると・・・
・シリコンと炭素からなる半導体。原料が豊富で安全
・ダイヤモンドに次いで硬い
・化学的な安定度が高い。酸やアルカリにも強い
・耐熱温度が高く、熱伝導性も高い。表面分解温度は約1000℃
・ダイヤモンドとシリコンの中間的な性質をもつ
SiCツールズが開発したSiC単結晶工具(SiCツール）の材料は、集積回路などの基板にも使われている炭化ケイ素・SiCです。炭化ケイ素の原料となる炭素やケイ素は地球上に無尽蔵にあり、無害で安全な元素です。今後SiC単結晶工具(SiCtツール）が広く普及していったとき、現在のレアメタルのように原材料をめぐって国際紛争がおきたりする心配もありませんし、製造工程で有害物質をまきちらす心配もありません。
炭化ケイ素はダイヤモンドと同じように分子同士が共有結合によって強固に結びついているためダイヤモンドのつぎに硬度が高いのも特長のひとつです。
また炭化ケイ素・SiCはご存じのように半導体です。半導体と金属との接触では、金属同士との接触とは異なり、大きな電界を発生させない限り電子のやり取りが発生しないという特性があります。
金属と半導体の接触面では電子のやり取りが生じにくく、金属同士の接触に比べて化学反応性が低いのです。これが、私どもSiCツールズがSiC単結晶工具（SiCツール）の開発において注目したもっとも重要な点でした。
炭化ケイ素の単結晶で切削工具をつくれば、ダイヤモンド単結晶工具に匹敵する硬度と単結晶故の切れ刃の鋭さをもち、しかも被削材を選ばない夢の切削工具ができると考えたのです。
