SiC単結晶で今まで誰も作ることのできなかった究極の工具、「SiCツールズ」を創ります。

SiCツールとは

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SiCツールは 当社が独自の方法で開発した「工具に必要な粘りを持つ」SiC単結晶を用いた切削工具です。SiCツールは被削材の特性を極限まで引き出します。

その特長と強みは・・・

刃先丸み20nm以下を実現

・単結晶に由来する原子レベルの平坦化を実現

・金属との化学反応性が低い

・被削材表面の加工歪が極限まで減らせる

・ダイヤモンドの次に硬度が高い

・熱伝導性が高く、加工時の冷却システムの簡略化が可能

 

そして従来切削工具との違いは・・・こちら

 

ドーピングと3次元CMP(化学研磨技術)で切れ刃の鋭利化を実現

現在半導体に使用されているSiC単結晶はHV硬度2,500~3,000とダイヤモンドに次ぐ硬度を持っており、化学的にも安定で金属との化学反応性が低く、通常の酸やアルカリにも冒されないという特長があります。また熱伝導性が高く耐熱性にも優れています。

しかし、硬さゆえに非常に脆いという一面を持っています。そのため切削工具材料には適さないと考えられてきました。私どもSiCツールズは、SiC単結晶工具(SiCツール)専用の単結晶成長装置を用いて結晶を成長させる際に、他の元素を添加するという方法(ドーピング)で、この硬くて脆いというSiC単結晶の欠点を克服し、工具に必要な粘りをもった(高靱性)SiC単結晶を成長させることに成功しました。

SiC単結晶工具(SiCツール)は刃先丸み20nm(ナノメートル)を実現しています。これは従来のダイヤモンド単結晶工具の半分以下の数値です。このように刃先を鋭利化できた背景には、なんといってもSiCの工具材料としてのすばらしさがありますが、もうひとつ忘れてならないものに当社が独自で開発した画期的な3次元CMP(化学機械研磨)技術があります。

そして3次元CMP(化学機械研磨)とは・・・こちら

 

 

 

      図① 気相成長法による高濃度ドーピングSiC単結晶の製造過程の模式図

 

                     図①

 

 

 

TEL 052-799-7601 8時30分~17時30分 (土曜、日曜、祝日を除く)

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